电磁加热来源于法拉第发现的电磁电磁现象，也就是交变的电流会在导体中产生电磁电流，从而招致导体发热。1890年瑞典技术人员创造了一台电磁熔炼炉 ——开槽式有芯炉， 1916年美国人创造了闭槽有芯炉，从此电磁加热技术逐步进入适用化阶段。 20世纪电力电子器件和技术的飞速开展，极大地促进了电磁加热技术的开展。
1957年，美国研制出作为电力电子器件里程碑的晶闸管，标志着现代电力电子技术的开端，也引发了电磁加热技术的反动。1966年，瑞士和西德首先应用晶闸管研制电磁加热安装，从此电磁加热技术开端飞速开展。
20世纪80年代后，电力电子器件再次快速开展，GTO、MOSFET、IGBT、M CT及 SIT等器件相继呈现。电磁加热安装也逐步摒弃晶闸管，开端采用这些新器件。如今比拟常用的是IGBT和MOSFET， IGBT用于较大功率场所，而MOSFET用于较高频率场所。据报道，国外能够采用IGBT将电磁加热安装做到功率超越1000kW ，频率超越50kHz。而MOSFET较适用高频场所，通常应用在几千瓦的中小功率场所，频率可到达500kHz以上，以至几兆赫兹。但是国外也有推出采用 MOSFET的大功率的电磁加热安装，比方美国研制的2000kW /400kHz的安装。
我国电磁热处置技术的真正应用始于1956年，从前苏联引入，主要应用在汽车工业。随着 20世纪电源设备的制造，电磁淬火工艺配备也紧随其后得到开展。如今国内电磁淬火工艺配备制造业也日益扩展，产品种类多，原来需求进口的配备，逐渐被国产品所取代，在俭省外汇的同时，开展了国内的相关企业。目前电磁加热制造业的效劳对象主要是汽车制造业，今后现代冶金工业将对电磁加热有较大需求。
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