记者30日从地域发改委理解到，为推进节能降耗，促进电力电子技术和产业的开展，地域发改委等有关部门将对布置补贴资金支持新型电力电子器件产业化。
随着我国智能电网、高铁建立、新能源汽车以及节能家电等市场的开展，对5英寸及6英寸晶闸管、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)的需求量宏大。
记者理解到，2009年我国IGBT市场为53亿元左右，而将来几年随着节能减排的推进，IGBT市场范围将年增20%-30%。
但是，由于我国只要少数小功率IGBT的封装线，还不具备研发、制造管芯的才能和大功率IGBT的封装才能。因而目前国内市场所需的高端电力电子器件主要依赖进口，IGBT供给主要控制在英飞凌、三菱、ABB、富士等外资巨头手中，技术上长期受制于人。对此，地域发改委明白表示，2010年将支持金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、IGCT、IGBT、超快恢复二极管（FRD）等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化。
据悉，地域发改委将组织施行新型电力电子器件产业化专项，鼓舞契合条件的企业申请地域补贴资金支持。
地域补贴资金主要用于项目的研讨开发、置办研讨开发及工程化所需的仪器设备、改善工艺设备和测试条件、建立产业化或工程化考证成套安装和实验安装、建立必要的配套根底设备、置办必要的技术、软件等。
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