感应加热电源及技术 在电源方面晶闸管中频取代机式发电机。20世纪90年代初，国内晶闸管电源厂曾如雨后春笋，遍地开花，经过优胜劣汰的竞争，如今消费厂已趋向稳定。目前晶闸管电源又在向IGBT晶体管电源开展，而电子管高频则将开展为MOSFET晶体管电源，手提晶体管超音频、高频电源市场竞争非常剧烈，其将来也将是谁的质量高、技术程度高，谁就能站稳脚跟。
国产中频电源目前都采用并联谐振型逆变器构造。因而，在研讨和开发更大容量的并联逆变中频电源的同时，研制构造简单、易于频繁起动的串联逆变中频电源是国内中频感应加热安装范畴有待处理的问题，特别是在熔炼、铸造应用中，串联逆变电源易完成全工况下恒功率输出（有利于降低电能吨耗）及一机多负载功率分配控制，更值得推行应用。 在超音频（10～100kHz）范围内，由于晶闸管自身开关特性等参数的限制，给研制该频段的电源带来了很大的技术难度。固然在80年代浙江大学采用晶闸管倍频电路研制了50kW/50kHz超音频电源，采用时间分割电路研制了30kHz的晶闸管超音频电源，但由于倍频电路的双谐振回路耦合使负载呈非线性，时变加热负载参数与谐振回路参数匹配调试相当复杂，而时间分割电路控制和主回路构造复杂，逆变管应用率低，因而没有得到很好的推行应用。
70至80年代初，人们将现代半导体微集成加工技术与功率半导体技术停止分离，相继开发出一大批全控电力电子半导体器件（GTR、MOSFET、SIT、SITH及MCT等），为全固态超音频、高频电源的研制打下了坚实的根底。 在高频（100kHz以上）频段，目前国外正处在从传统的电子管电源向晶体管化全固态电源的过渡阶段。日本某些公司采用SIT，电源程度在80年代末到达了1000kW、200kHz，400kW、400kHz。 而在欧美，由于SIT存在高通态损耗（SIT工作于非饱和区）等缺陷，其高频功率器件以MOSFET为主。随着MOSFET功率器件的模块化、大容量化，MOSFET高频感应加热电源的容量得到了飞速开展。西班牙采用MOSFET的电流型感应加热电源制造程度达600kW、400kHz，德国在1989年研制的电流型MOSFET感应加热电源程度达480kW、50～200kHz，比利时InductoEiphiac公司消费的电流型MOSFET感应加热电源程度可达1000kW、15～600kHz。浙江大学在90年代研制出20kW、300kHzMOSFET高频电源，已被胜利应用于小型刀具的外表热处置和飞机涡轮叶片的热应力考核。
目前，感应加热设备的电源在中频频段主要采用晶闸管，超音频频段主要采用IGBT，而在高频频段，由于SIT存在高导通损耗等缺陷，国际上主要开展MOSFET电源。感应加热电源虽采用谐振逆变器，有利于功率器件完成软开关，但是感应加热电源通常功率较大，对功率器件、无源器件、电缆、布线、接地和屏蔽等均有许多特殊请求。因而，完成感应加热电源高频化仍有许多应用根底技术需求进一步讨论，特别是新型高频大功率器件（如MCT、IGBT及SIT功率器件等）的问世，将进一步促进高频感应加热电源的开展。
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